Príprava vzoriek EBSD na zariadenia na polovodičové výkony tretej generácie
Polovičné výkonové zariadenia tretej generácie sa vyrábajú hlavne na základe širokopásmových polovodičových materiálov, ako sú karbid kremíka (SIC) a nitrid gallium (GAN), a v p...
Prečítajte si viac
Jul.10.2025